半導體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ)，包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場效應(yīng)管等。直流 I-V    測試是表征微電子器件工藝及材料特性的基礎(chǔ)，通常使用I-V特性分析或I-V曲線來決定器件的基本參數(shù)。

分立器件I-V特性測試的主要目的是通過實驗幫助工程師提取半導體器件的基本I-V特性參數(shù)，并在整個工藝流程結(jié)束后評估器件的優(yōu)劣。在半導體制程的多個階段都有應(yīng)用，如金屬互連，鍍層階段，芯片封裝后的測試等。

普賽斯儀表開發(fā)的半導體分立器件I-V特性測試方案，由一臺或兩臺源精密源測量單元（SMU）、夾具或探針臺、上位機軟件構(gòu)成。以三端口MOSFET 器件為例，配套以下設(shè)備：

兩臺S 型數(shù)字源表

四根三同軸電纜

夾具或帶有三同軸接口的探針臺

三同軸 T 型頭

       需要測試的參數(shù)：    
輸出特性曲線

轉(zhuǎn)移特性曲線

跨導 gm

擊穿電壓 BVDS

需要儀器列表：    
SMU 源表

探針臺或夾具

普賽斯上位機軟件

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