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全自動(dòng)多功能掃描聚焦 X 射線光電子能譜XPS

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產(chǎn)品型號(hào)PHI GENESIS

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深圳市順心科技有限公司

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

ULVAC-PHI公司推出的PHI GENESIS是一款自動(dòng)多功能掃描x射線光電子光譜儀（XPS：x射線光電子光譜或ESCA：化學(xué)分析電子光譜）。為用戶提供了一種全新的體驗(yàn)，儀器高性能、全自動(dòng)化、簡(jiǎn)單易操作。

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品特點(diǎn)

1.易操作式多功能選配附件

簡(jiǎn)單易操作：PHI GENESIS 提供了一種全新的用戶體驗(yàn)，儀器高性能、全自動(dòng)化、簡(jiǎn)單易操作。操作界面可在同一個(gè)屏幕內(nèi)設(shè)置常規(guī)和高級(jí)的多功能測(cè)試參數(shù)，同時(shí)保留諸如進(jìn)樣照片導(dǎo)航和 SXI 二次電子影像精準(zhǔn)定位等功能。
簡(jiǎn)單友好的用戶界面：PHI GENESIS 提供了一個(gè)簡(jiǎn)單、直觀且易于操作的用戶界面，對(duì)于操作人員非常友好，操作人員執(zhí)行簡(jiǎn)單的設(shè)置操作即可完成包括所有選配附件在內(nèi)的自動(dòng)化分析。

多功能選配附件：原位的多功能自動(dòng)化分析，涵蓋了從 LEIPS 測(cè)試導(dǎo)帶到 HAXPES 芯能級(jí)激發(fā) 的全范圍技術(shù)，相比于傳統(tǒng)的 XPS 而言， PHI GENESIS 體現(xiàn)了的性能價(jià) 值。
全面的優(yōu)良解決方案 ：高性能 XPS、UPS、LEIPS、REELS、AES、GCIB 及多種其他選配附件可以滿足所有表面分析需求。

2.全自動(dòng)樣品傳送停放

3.高性能大面積和微區(qū) XPS 分析

多數(shù)量樣品大面積分析

- 多數(shù)量樣品大面積分析 - 把制備好樣品的樣品托放進(jìn)進(jìn)樣腔室后將自動(dòng)傳送進(jìn)分析腔室內(nèi)
- 可同時(shí)使用三個(gè)樣品托
- 80mm×80mm 的大樣品托可放置多數(shù)量樣品
- 可分析粉末、粗糙表面、絕緣體、形狀復(fù)雜等各種各樣的樣品

無(wú)二的可聚焦≤ 5μm 的微區(qū) X 射線束斑：在 PHI GENESIS中，聚焦掃描 X 射線源可以激發(fā)二次電子影像（SXI），利用二次電子影像可以進(jìn)行導(dǎo)航、精準(zhǔn)零誤差定位、多點(diǎn)多區(qū)域同時(shí)分析測(cè)試以及深度剖析。
大幅提升的二次電子影像（SXI）：二次電子影像（SXI）精準(zhǔn)定位，保證了所見即所得。的 5μmX 射線束斑為微區(qū) XPS 分析應(yīng)用提供了新的機(jī)遇。

4.快速精準(zhǔn)深度剖析

PHI GENESIS 可實(shí)現(xiàn)高性能的深度剖析。聚焦 X 射線源、高靈敏度探測(cè)器、高性能氬離子槍和高效雙束中和系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)深度剖析，包括在同一個(gè)濺射刻蝕坑內(nèi)進(jìn)行多點(diǎn)同時(shí)分析。

高性能的深度剖析能力：( 下圖左 ) 全固態(tài)電池薄膜的深度剖析。深度剖面清晰地顯示了在 2.0 μm 以下富 Li 界面的存在。 ( 下圖右 ) 在 LiPON 膜沉積初期，可以看到氧從 LiCoO2 層轉(zhuǎn)移到 LiPON 層中，使 Co 在 LiCoO2 層富 Li 界面由氧化態(tài)還原為金屬態(tài)。

角分辨 XPS 分析：PHI GENESIS XPS 的高靈敏度微區(qū)分析和高度可重現(xiàn)的中和性能確保了對(duì)樣品角分辨分析的性能。另外，樣品傾斜和樣品旋轉(zhuǎn)相結(jié)合，可同時(shí)實(shí) 現(xiàn)角度的高分辨率和能量的高分辨率。

無(wú)需濺射刻蝕的深度探索：下一代透明發(fā)光材料使用直徑約為 10nm~50nm 的納米量子點(diǎn)（QDs），結(jié)合使用 XPS（Al Kα X 射線）和 HAXPES（Cr Kα X 射線）對(duì)同一微觀特征區(qū)域進(jìn) 行分析，可以對(duì) QDs 進(jìn)行詳細(xì)的深度結(jié)構(gòu)分析。 XPS 和 HAXPES 的結(jié)合使用，可以對(duì)納米顆粒進(jìn)行深度分辨、定量和化學(xué)態(tài)分析，從而避免離子束濺射引起的損傷。
深層界面的分析：在兩種 x 射線源中，只有 Cr Ka XPS 能探測(cè)到 Y2O 3 下方距離表面 14nm 處的 Cr 層。擬合后的譜圖確定了 Cr 的化學(xué)態(tài)。另外，通過比較，光電子起飛角 90°和 30°的 Cr Kα 譜圖結(jié)果發(fā)現(xiàn)在較淺 ( 表面靈敏度更高 ) 的起飛角時(shí)，氧化物的強(qiáng)度較高，表明 Cr 氧化物處于 Y2O 3 和 Cr 層之間的界面。
內(nèi)核電子的探測(cè)：Cr Kα 提供了額外的 Al Kα 不能獲取的內(nèi)核電子。基于 Cr Kα 的高能光電子，通常有多個(gè)額外的躍遷可用于分析。

5.為電池、半導(dǎo)體、有機(jī)器件以及其他各領(lǐng)域提供全面解決方案

應(yīng)用領(lǐng)域

主要應(yīng)用于電池、半導(dǎo)體、光伏、新能源、有機(jī)器件、納米顆粒、催化劑、金屬材料、聚合物、陶瓷等固體材料及器件領(lǐng)域。用于全固態(tài)電池、半導(dǎo)體、光伏、催化劑等領(lǐng)域的功能材料都是復(fù)雜的多組分材料，其研發(fā)依賴于化學(xué)結(jié) 構(gòu)到性能的不斷優(yōu)化。ULVAC-PHI, Inc. 提供的全新表面分析儀器 “PHI GENESIS" 全自動(dòng)多功能掃描聚焦 X射線光電子能譜儀，具有性能、高自動(dòng)化和靈活的擴(kuò)展能力，可以滿足客戶的所有分析需求。

PHI GENESIS 多功能分析平臺(tái)在各種研究領(lǐng)域的應(yīng)用：

電池：“LiPON/LiCoO2 橫截面的 pA-AES Li 化學(xué)成像" Li 基材料例如 LiPON，對(duì)電子束輻照敏感。 PHI GENESIS 提供的高靈敏度能量分析器可以在低束流（300pA）下快速獲取 AES 化學(xué)成像。

有機(jī)器件：使用 UPS/LEIPS 和 Ar-GCIB 測(cè)量能帶結(jié)構(gòu) （1）C 60 薄膜表面（2）C 60 薄膜表面清潔后（3）C 60 薄膜 /Au 界面（4）Au 表面通過 UPS/LEIPS 分析和 Ar-GCIB 深度剖析可以確定有機(jī)層的能級(jí)結(jié)構(gòu)。

半導(dǎo)體：半導(dǎo)體器件通常由包含許多元素的復(fù)雜薄膜組成，它們的研發(fā)通常需要對(duì)界面處的化學(xué)態(tài)進(jìn)行無(wú)損分析。為了從深層界面獲取信息，例如柵極氧化膜下的 GaN，使用 HAXPES 是非常有必要的。

微電子：微小焊錫點(diǎn)分析 HAXPES 分析數(shù)據(jù)顯示金屬態(tài) Sn 的含量高于 XPS 分析數(shù)據(jù)，這是由于 Sn 球表面被氧化，隨著深度的加深，金屬態(tài) Sn 的含量越高，正好符合 HAXPES 分析深度比 XPS 深的特點(diǎn)。

產(chǎn)品配置

多功能選配附件

UPS 紫外光電子能譜、LEIPS低能反光電子能譜、AES/SAM 俄歇電子能譜、REELS 反射式能量損失譜、雙陽(yáng) 極 X 射線源（Mg/Zr、Mg/Al）、Ar-GCIB 氬團(tuán)簇離子源、Ar-GCIB 簇大小測(cè)量工具、C60 源子離簇團(tuán) （ VK02 樣、）品加熱冷卻模塊、4 電觸點(diǎn)加熱冷卻模塊、樣品保護(hù)傳送模塊、SPS 樣品定位系統(tǒng)等等。

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