紅外非線性光學(xué)晶體作為激光頻率轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件,在全固態(tài)激光器中具有重要的應(yīng)用。當(dāng)前商用的紅外非線性光學(xué)晶體主要包括黃銅礦型化合物如AgGaS2 (AGS), AgGaSe2和ZnGeP2 (ZGP)等。然而,由于各自本征的性能缺陷,這些材料已不能完全滿足當(dāng)前長(zhǎng)波紅外激光技術(shù)發(fā)展的需求,亟需突破現(xiàn)有材料性能的限制,發(fā)展高性能新型長(zhǎng)波紅外非線性光學(xué)材料。
中國(guó)科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所晶體研究中心一直致力于新型紅外非線性光學(xué)晶體的研究。近期科研人員通過(guò)系統(tǒng)分析現(xiàn)有紅外非線性光學(xué)材料的性能來(lái)源,提出協(xié)同組裝優(yōu)勢(shì)基元構(gòu)建新型紅外非線性光學(xué)材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)思路,并以家族為模板,實(shí)現(xiàn)了該家族硒化物帶隙及二階非線性光學(xué)效應(yīng)的有效調(diào)控,獲得了兩例長(zhǎng)波紅外非線性光學(xué)材料SrCdSiSe4(Ama2)和BaCdSiSe4(Fdd2)。這兩例化合物具有強(qiáng)的二階非線性光學(xué)響應(yīng)(~ 2.1-2.7 × AgGaS2),硒化物中寬的帶隙(~ 2.67-2.78 eV),且激光損傷閾值達(dá)到商用AgGaS2材料的4倍,有望用于高效、高功率長(zhǎng)波紅外激光的輸出。值得一提的是,SrCdSiSe4為一同成分熔融化合物(熔點(diǎn):870 oC),具有較好的晶體生長(zhǎng)習(xí)性,有利于實(shí)用化大尺寸單晶的生長(zhǎng)。同時(shí),實(shí)驗(yàn)及計(jì)算的結(jié)果表明,SrCdSiSe4和BaCdSiSe4化合物中優(yōu)異的綜合性能主要?dú)w因于[AIISe8],[CdSe4] and [SiSe4]優(yōu)勢(shì)基元的協(xié)同組裝。這一結(jié)果將激勵(lì)科研人員通過(guò)協(xié)同組裝優(yōu)勢(shì)基元探索更多性能優(yōu)異的新型紅外光電功能材料。
相關(guān)研究成果以全文形式發(fā)表在Wiley公司出版的《先進(jìn)功能材料》(Advanced Functional Materials)上,新疆理化技術(shù)研究所為唯一完成單位,新疆理化技術(shù)研究所晶體材料研究中心潘世烈和李俊杰研究員為通訊作者,博士研究生王宏善為第一作者。該研究工作得到中國(guó)科學(xué)院人才計(jì)劃、中國(guó)科學(xué)院先導(dǎo)專項(xiàng)B類、國(guó)家自然科學(xué)基金及新疆自治區(qū)自然科學(xué)基金等項(xiàng)目的資助。
圖1. 協(xié)同組裝優(yōu)勢(shì)結(jié)構(gòu)基元實(shí)現(xiàn)紅外非線性光學(xué)材料中關(guān)鍵性能的平衡。
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